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Coulomb Blockade and Hopping Conduction in Graphene Quantum Dots Array

机译:石墨烯量子点阵中的库仑阻塞和跳跃传导

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摘要

We show that the low temperature electron transport properties of chemicallyfunctionalized graphene can be explained as sequential tunneling of chargesthrough a two dimensional array of graphene quantum dots (GQD). Below 15 K, atotal suppression of current due to Coulomb blockade through GQD array wasobserved. Temperature dependent current-gate voltage characteristics showCoulomb oscillations with energy scales of 6.2-10 meV corresponding to GQDsizes of 5-8 nm while resistance data exhibit an Efros-Shklovskii variablerange hopping arising from structural and size induced disorder.
机译:我们表明,化学功能化石墨烯的低温电子传输特性可以解释为通过二维排列的石墨烯量子点(GQD)的电荷的连续隧穿。在15 K以下,观察到由于GQD阵列引起的库仑阻塞,电流得到了完全抑制。温度相关的电流门电压特性显示库仑振荡的能量尺度为6.2-10 meV,对应于5-8 nm的GQDsize,而电阻数据显示出Efros-Shklovskii可变范围跳跃是由于结构和尺寸引起的无序引起的。

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